onsemi FDS6875 SMD Digitaler Transistor Dual, SOIC 8-Pin

Diese P-Kanal 2,5 V spezifizierten MOSFETs werden mit einem Advanced PowerTrench Prozess produziert, der speziell auf die Minimierung des On-State-Widerstands zugeschnitten wurde und gleichzeitig eine niedrige Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung aufrecht erhält. Diese Geräte eignen sich hervorragend für Anwendungen in der tragbaren Elektronik: Lastschaltung und Energieverwaltung, Batterieladung und Schutzschaltungen.

-6 A, -20 V
RDS(ON) = 0,030 Ω @ VGS = -4,5 V
RDS(ON) = 0,040 Ω @ VGS = -2,5 V.
Niedrige Gatterladung (typisch 23 nC).
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON).
Hohe Leistung und Strombelastbarkeit.
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.