Digitaler Transistor FDS6875, SOIC 8-Pin Dual

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

Diese P-Kanal 2,5 V spezifizierten MOSFETs werden mit einem Advanced PowerTrench Prozess produziert, der speziell auf die Minimierung des On-State-Widerstands zugeschnitten wurde und gleichzeitig eine niedrige Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung aufrecht erhält. Diese Geräte eignen sich hervorragend für Anwendungen in der tragbaren Elektronik: Lastschaltung und Energieverwaltung, Batterieladung und Schutzschaltungen.

-6 A, -20 V
RDS(ON) = 0,030 Ω @ VGS = -4,5 V
RDS(ON) = 0,040 Ω @ VGS = -2,5 V.
Niedrige Gatterladung (typisch 23 nC).
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON).
Hohe Leistung und Strombelastbarkeit.
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOIC
Pinanzahl 8
Verlustleistung max. 1,6 W (Einfach), 2 W (Zweifach)
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 1.58mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 4.9mm
Breite 3.9mm
Abmessungen 4.9 x 3.9 x 1.58mm
500 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: 1 Packung mit 10 Stück
CHF .10.286
(ohne MwSt.)
Packung(en)
Pro Packung
Pro Stück*
1 - 4
CHF.10.286
CHF.1.030
5 - 9
CHF.9.151
CHF.0.913
10 - 24
CHF.7.173
CHF.0.714
25 - 99
CHF.7.033
CHF.0.702
100 +
CHF.4.997
CHF.0.503
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: