onsemi BUB323ZT4G SMD, NPN Digitaler Transistor 6 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin

RS Best.-Nr.:: 186-8010
Herst. Teile-Nr.:: BUB323ZT4G
Marke:: onsemi

onsemi BUB323ZT4G SMD, NPN Digitaler Transistor 6 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin

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Datasheet BUB323ZT4G

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Der BUB323Z ist ein planarer, monolithischer, bipolarer Hochspannungs-Darlington-Transistor mit integrierter aktiver Zenerklemmschaltung. Dieses Gerät wurde speziell für ungespannte, induktive Anwendungen wie elektronische Zündung, Schaltregler und Motorsteuerung entwickelt.

Integrierte Hochspannungs-Active-Klemme
Fenster für feste Spannungsspitzen (350 V bis 450 V)Garantiert über den Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C
Spannkraft 100% in einem spannungsführenden Zündkreis getestet
Hohe DC-Stromverstärkung/niedrige Sättigungsspannungen über dem gesamten Temperaturbereich wählbar
Design garantiert jederzeit den Betrieb in SOA
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Kollektor-Emitter-Spannung	6 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Pinanzahl	2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Abmessungen	10.29 x 9.65 x 4.83mm

RS Best.-Nr.:: 186-8010
Herst. Teile-Nr.:: BUB323ZT4G
Marke:: onsemi

Datasheet BUB323ZT4G