onsemi FJB102TM SMD, NPN Digitaler Transistor Dual 100 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8055
- Herst. Teile-Nr.:
- FJB102TM
- Marke:
- onsemi
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Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
FJB102: 100-V-Hochleistungstransistor Darlington
Hohe DC-Stromverstärkung: HFE=1000 bei VCE= 4 V, IC= 3 A (min.)
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hohe Haltespannung des Kollektor-Emitters
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen am unteren Emitter
Industrielle Verwendung
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hohe Haltespannung des Kollektor-Emitters
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen am unteren Emitter
Industrielle Verwendung
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 80 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 200 |
| Transistor-Konfiguration | Dual |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Pinanzahl | 2 + Tab |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.58mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |