- RS Best.-Nr.:
- 186-8162
- Herst. Teile-Nr.:
- FDFS2P106A
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 186-8162
- Herst. Teile-Nr.:
- FDFS2P106A
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der FDFs2P106A kombiniert die außergewöhnliche Leistung der PowerTrench MOSFET-Technologie mit einem sehr niedrigen Vorwärtsspannungsabfall Schottky-Sperrengleichrichter in einem SO-8-Gehäuse. Dieses Gerät ist speziell als eine Paketlösung für DC/DC-Wandler konzipiert. Er verfügt über einen schnellen schaltenden MOSFET mit niedriger Gate-Ladung und einem sehr niedrigen On-State-Widerstand. Die unabhängig angeschlossene Schottky-Diode ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von DC/DC-Wandlerstrukturen.
-3,0 A, -60 V
RDS(on) = 110 mΩ @ VGS = -10 V
RDS(on) = 140 mΩ @ VGS = -4,5 V
VF< 0,53 V bei 1 A
VF< 0,45 V bei 1 A (TJ = 125 °C)
VF< 0,62 V bei 2 A
Schottky und MOSFET sind in ein SO-8-Gehäuse für die Einleistungsoberfläche integriert
Elektrisch unabhängige Schottky- und MOSFETpinout für Flexibilität im Design
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
RDS(on) = 110 mΩ @ VGS = -10 V
RDS(on) = 140 mΩ @ VGS = -4,5 V
VF< 0,53 V bei 1 A
VF< 0,45 V bei 1 A (TJ = 125 °C)
VF< 0,62 V bei 2 A
Schottky und MOSFET sind in ein SO-8-Gehäuse für die Einleistungsoberfläche integriert
Elektrisch unabhängige Schottky- und MOSFETpinout für Flexibilität im Design
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 2 W |
Pinanzahl | 8 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 4.9 x 3.9 x 1.58mm |