onsemi FDMC86262P SMD Digitaler Transistor, MLP 3.3 x 3.3 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8211
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86262P
- Marke:
- onsemi
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CHF.9.692
| Packung(en) | Pro Packung | Pro Stück* |
| 1 - 9 | CHF.9.692 | CHF.0.966 |
| 10 - 24 | CHF.7.256 | CHF.0.725 |
| 25 - 49 | CHF.7.035 | CHF.0.704 |
| 50 - 99 | CHF.6.164 | CHF.0.62 |
| 100 + | CHF.5.03 | CHF.0.504 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 186-8211
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86262P
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser P-Kanal-MOSFET wird mit einer Advanced PowerTrench® Technologie hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell auf die Minimierung des Einschaltwiderstandes und die Optimierung für eine überlegene Schaltleistung zugeschnitten.
Max. RDS(ein) = 307 mΩ bei VGS = -10 V, ID = -2 A
Max. RDS(ein) = 356 mΩ bei VGS = -6 V, ID = -1,8 A
Sehr niedrige rDS(on) Mittelspannung P-Kanal Silizium-Technologie optimiert für niedrige Qg
Optimiert für Fast Switching-Anwendungen sowie Load Switch-Anwendungen
Anwendungen
Industriell
Tragbar und kabellos
Max. RDS(ein) = 356 mΩ bei VGS = -6 V, ID = -1,8 A
Sehr niedrige rDS(on) Mittelspannung P-Kanal Silizium-Technologie optimiert für niedrige Qg
Optimiert für Fast Switching-Anwendungen sowie Load Switch-Anwendungen
Anwendungen
Industriell
Tragbar und kabellos
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Gehäusegröße | MLP 3.3 x 3.3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 40 W |
| Pinanzahl | 8 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 3.3 x 3.3 x 0.72mm |