onsemi MMBTA06WT1G SMD, NPN Digitaler Transistor 80 V dc / 500 mA, SOT-323 (SC-70) 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8565
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBTA06WT1G
- Marke:
- onsemi
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| 3000 - 8950 | CHF.0.032 | CHF.1.365 |
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Bipolartransistor NPN ist für allgemeine Verstärkeranwendungen konzipiert. Er ist im Gehäuse SOT-323/SC-70 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.
Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1
ESD-Schutzart: Menschliches Karosseriemodell - 4 kV Maschinenmodell - 400 V
Möglicherweise ist ein kostenloses Paket verfügbar. Das G-Suffix kennzeichnet ein bleifreies Ende
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
ESD-Schutzart: Menschliches Karosseriemodell - 4 kV Maschinenmodell - 400 V
Möglicherweise ist ein kostenloses Paket verfügbar. Das G-Suffix kennzeichnet ein bleifreies Ende
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 500 mA |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 80 V dc |
| Gehäusegröße | SOT-323 (SC-70) |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 460 mW |
| Gleichstromverstärkung min. | 100 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 4 V dc |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 0.9mm |