onsemi BCW30LT1G SMD, PNP Digitaler Transistor –32 V, SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8637
- Herst. Teile-Nr.:
- BCW30LT1G
- Marke:
- onsemi
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- 186-8637
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- BCW30LT1G
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der PNP Bipolartransistor ist für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen konzipiert. Das Gerät befindet sich im Gehäuse SOT-23, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
S Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
S Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Kollektor-Emitter-Spannung | –32 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 300 mW |
| Gleichstromverstärkung min. | 215 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | –5 V |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |