- RS Best.-Nr.:
- 186-8762
- Herst. Teile-Nr.:
- MUN5232DW1T1G
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 03.06.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer VPE à 50)
CHF.0.147
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
50 - 50 | CHF.0.147 | CHF.7.455 |
100 - 950 | CHF.0.063 | CHF.3.045 |
1000 - 2950 | CHF.0.042 | CHF.2.048 |
3000 - 8950 | CHF.0.032 | CHF.1.68 |
9000 + | CHF.0.032 | CHF.1.47 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 186-8762
- Herst. Teile-Nr.:
- MUN5232DW1T1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diese Serie digitaler Transistoren ersetzt ein einzelnes Gerät und sein externes Widerstandsvorspannungsnetz. Der Bias Resistor Transistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Bias-Netzwerk, bestehend aus zwei Widerständen, einem seriellen Basiswiderstand und einem Basisemitter-Widerstand. Die BRT eliminiert diese Einzelkomponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Durch den Einsatz eines BRT können sowohl die Systemkosten als auch der Platinenplatz reduziert werden.
Vereinfacht das Schaltungsdesign
Reduziert den Plattenplatz
Reduziert die Anzahl der Komponenten
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Reduziert den Plattenplatz
Reduziert die Anzahl der Komponenten
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
Gehäusegröße | SOT-363 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 385 mW |
Transistor-Konfiguration | Dual |
Pinanzahl | 6 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 1mm |
Eingangswiderstand typ. | 4,7 kΩ |
Basis-Emitter-Widerstand | 4.7kΩ |
Widerstandsverhältnis | 1 |