- RS Best.-Nr.:
- 186-8824
- Herst. Teile-Nr.:
- FQT1N60CTF-WS
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 18.12.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
CHF.0.63
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
25 - 25 | CHF.0.63 | CHF.15.624 |
50 - 100 | CHF.0.609 | CHF.15.309 |
125 - 225 | CHF.0.399 | CHF.10.101 |
250 - 600 | CHF.0.399 | CHF.9.891 |
625 + | CHF.0.326 | CHF.8.138 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 186-8824
- Herst. Teile-Nr.:
- FQT1N60CTF-WS
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser N-Kanal-MOSFET für die Verstärkerleistung wird mit der proprietären Planar-Streifen- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt. Diese Advanced MOSFET-Technologie wurde speziell auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Bereitstellung einer überlegenen Schaltleistung und einer hohen Lawinenenergie zugeschnitten. Diese Geräte eignen sich für Schaltnetzteile, aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Vorschaltgeräte.
0,2 A, 600 V, RDS(on) = 9,3Ω (typ.) @VGS = 10 V, ID = 0,1 A.
Niedrige Gatterladung ( Typ. 4,8 nC)
Niedrige Crss (Typ. 3,5 pF)
Anwendungen
Beleuchtung
Niedrige Gatterladung ( Typ. 4,8 nC)
Niedrige Crss (Typ. 3,5 pF)
Anwendungen
Beleuchtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | SOT-223 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 2,1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Pinanzahl | 3 + Tab |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 6.5 x 3.5 x 1.6mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |