- RS Best.-Nr.:
- 186-8867
- Herst. Teile-Nr.:
- NTGD4167CT1G
- Marke:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 186-8867
- Herst. Teile-Nr.:
- NTGD4167CT1G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Leistungs-MOSFET, komplementär, 30 V, +2,9/-2,2 A, TSOP-6 Dual
Komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET
Kleines TSOP-6-Gehäuse (3 x 3 mm)
Spitzen-Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand
Reduzierte Gate-Ladung zur Verbesserung der Schaltreaktion
Unabhängig angeschlossene Geräte für Entwurfsflexibilität
Anwendungen
DC/DC-Wandlungsschaltungen
Last-/Leistungsschaltung mit Pegelschaltung
Endprodukte
Mobiltelefon, PMP, DSC, GPS, tragbare Videospiele, PC, Drucker, Peripheriegeräte, DTV, Top Box und andere Computer- und digitale Verbraucherprodukte
Kleines TSOP-6-Gehäuse (3 x 3 mm)
Spitzen-Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand
Reduzierte Gate-Ladung zur Verbesserung der Schaltreaktion
Unabhängig angeschlossene Geräte für Entwurfsflexibilität
Anwendungen
DC/DC-Wandlungsschaltungen
Last-/Leistungsschaltung mit Pegelschaltung
Endprodukte
Mobiltelefon, PMP, DSC, GPS, tragbare Videospiele, PC, Drucker, Peripheriegeräte, DTV, Top Box und andere Computer- und digitale Verbraucherprodukte
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | TSOP |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 1,1 W |
Transistor-Konfiguration | Dual |
Pinanzahl | 6 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Abmessungen | 3.1 x 1.7 x 1mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |