- RS Best.-Nr.:
- 186-8882
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC2712GT1G
- Marke:
- onsemi
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- MSC2712GT1G
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Bipolartransistor NPN ist für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen konzipiert. Das Gerät ist im SC-59-Gehäuse untergebracht, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerer Leistung ausgelegt ist.
Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1
ESD-Schutzklasse: Noch festzulegen
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
ESD-Schutzklasse: Noch festzulegen
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
Gehäusegröße | SC-59 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 200 mW |
Gleichstromverstärkung min. | 200 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | 7 V dc |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 3.1 x 1.7 x 1.2mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |