NPN Emmitter geschaltet FJP2145TU 0.202V 5 A, TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 864-8956
- Herst. Teile-Nr.:
- FJP2145TU
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 864-8956
- Herst. Teile-Nr.:
- FJP2145TU
- Marke:
- ON Semiconductor
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
ESBC™-Leistungstransistor, Fairchild Semiconductor
Bipolare NPN-Leistungstransistoren, die für den Einsatz in ESBC™-Konfigurationen (Emittergeschaltete bipolare/MOSFET-Kaskode) zusammen mit geeigneten Leistungs-MOSFET-Geräten entwickelt wurden. Diese Netzschalterkonfiguration bietet erhöhte Effizienz, Flexibilität und Widerstandsfähigkeit und der Antrieb wird aufgrund des Fehlens der Miller-Kapazität im Design minimiert.
Bipolare Transistoren, Fairchild Semiconductor
Eine breite Palette an bipolaren Junction-Transistoren (BJT) bietet komplette Lösungen für verschiedene Stromkreisanwendungsanforderungen. Innovative Gehäuse bieten minimale Größe, höchste Zuverlässigkeit und maximale Wärmeleistung.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 5 A |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 120 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 8 |
| Pinanzahl | 3 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C |
| Abmessungen | 10.67 x 4.83 x 16.51mm |