MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, IPAK de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal 50 unidades (fornecido em tubo)*

103,40 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 45 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
50 - 1202,068 €
125 +1,622 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
687-5352P
Referência do fabricante:
STD3NK80Z-1
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

6.2mm

Longitud

6.6mm

Anchura

2.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.