MagnaChip

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Diskrete Halbleiter

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Diskrete Halbleiter
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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.0.50
    Stück (In einer Stange von 50)
MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220F
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.27
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
MagnaChip N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 17 A 5,1 W, 8-Pin SOIC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.0.50
    Stück (In einer Stange von 10)
MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,7 A 27,1 W, 3-Pin TO-220F
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220F
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • CHF.34.55Stück
MagnaChip Tafelmontage Gleichrichter Diode Gemeinsame Anode, 600V / 200A, 3-Pin 5DM-1
  • Montage-TypTafelmontage
  • Gehäusegröße5DM-1
  • Dauer-Durchlassstrom max.200A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
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