Infineon Latch Hall-Effekt-Sensor Oberfläche 3 V 32 V I2C Bipolar Digital SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 223-8571P
- Herst. Teile-Nr.:
- TLE49611MXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 223-8571P
- Herst. Teile-Nr.:
- TLE49611MXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Sensortyp | Hall-Effekt | |
| Produkt Typ | Latch Hall-Effekt-Sensor | |
| Technologie | Digital | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Schnittstellentyp | I2C | |
| Magnet-Typ | Bipolar | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 32V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Empfindlichkeit | 2mT | |
| Maximale Betriebstemperatur | 170°C | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | TLE4961-1M | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Versorgungsstrom | 1.6mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Sensortyp Hall-Effekt | ||
Produkt Typ Latch Hall-Effekt-Sensor | ||
Technologie Digital | ||
Montageart Oberfläche | ||
Schnittstellentyp I2C | ||
Magnet-Typ Bipolar | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 32V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Empfindlichkeit 2mT | ||
Maximale Betriebstemperatur 170°C | ||
Pinanzahl 3 | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie TLE4961-1M | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Versorgungsstrom 1.6mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der Infineon XENSIV ist ein für die Automobilindustrie geeigneter Hall-Effekt-Riegel für Anwendungen wie die Positionserkennung in Sicherheitsgurten. Er bietet eine überlegene Versorgungsspannungsfähigkeit, einen Betriebstemperaturbereich und Temperaturstabilität der magnetischen Schwellenwerte. Der Sensor wird in einem kleinen SMD-Gehäuse geliefert.
Betrieb über ungeregelte Stromversorgung
Verpolschutz
Überspannungsfestigkeit bis zu 42 V ohne externen Widerstand
Überstrom- und Übertemperaturschutz am Ausgang
Aktive Fehlerkompensation
Hohe Stabilität von magnetischen Schwellenwerten
Hohe ESD-Leistung