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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
Bipolare Transistoren
Infineon BC817K40WH6327XTSA1 SMD, NPN Transistor 45 V / 500 mA 170 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin
RS Best.-Nr.:
145-9446
Herst. Teile-Nr.:
BC817K40WH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
145-9446
Herst. Teile-Nr.:
BC817K40WH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
BC817K/BC818K, NPN Silicon AF Transistor Dataheet(2011-09-19)
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Universal-NPN-Transistoren, Infineon
Bipolare Transistoren, Infineon
Eigenschaft
Wert
Transistor-Typ
NPN
DC Kollektorstrom max.
500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung
45 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
SMD
Verlustleistung max.
250 mW
Transistor-Konfiguration
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.
50 V
Basis-Emitter Spannung max.
5 V
Arbeitsfrequenz max.
170 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
RS Best.-Nr.:
145-9446
Herst. Teile-Nr.:
BC817K40WH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
BC817K/BC818K, NPN Silicon AF Transistor Dataheet(2011-09-19)
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Universal-NPN-Transistoren, Infineon
Bipolare Transistoren, Infineon
Eigenschaft
Wert
Transistor-Typ
NPN
DC Kollektorstrom max.
500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung
45 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
SMD
Verlustleistung max.
250 mW
Transistor-Konfiguration
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.
50 V
Basis-Emitter Spannung max.
5 V
Arbeitsfrequenz max.
170 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C