- RS Best.-Nr.:
- 186-7150
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG328P
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser P-Kanal 2,5V spezifizierter MOSFET wird in einer robusten Gate-Version eines Advanced PowerTrench Prozesses hergestellt. Es wurde für Energieverwaltungsanwendungen für eine Vielzahl von Gate-Antriebsspannungen (2,5 V - 12 V) optimiert.
-1,5 A, -20 V
RDS(ON) = 0,145 Ω @ VGS = -4,5 V
RDS(ON) = 0,210 Ω @ VGS = -2,5 V
Niedrige Gateladung
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
Kompaktes SC70-6-SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
RDS(ON) = 0,145 Ω @ VGS = -4,5 V
RDS(ON) = 0,210 Ω @ VGS = -2,5 V
Niedrige Gateladung
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
Kompaktes SC70-6-SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | SC-70 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 750 mW |
Pinanzahl | 6 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 1mm |