onsemi Durchsteckmontage Digitaler Transistor NPN 90 V 10 A TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8013P
- Herst. Teile-Nr.:
- MJF3055G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 186-8013P
- Herst. Teile-Nr.:
- MJF3055G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Digitaler Transistor | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 90V | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V dc | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 10A | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 20 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Normen/Zulassungen | UL 94 V-0, UL | |
| Breite | 10.63mm | |
| Länge | 0.635Zoll | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Digitaler Transistor | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 90V | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V dc | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10A | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 20 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Pinanzahl 3 | ||
Normen/Zulassungen UL 94 V-0, UL | ||
Breite 10.63mm | ||
Länge 0.635Zoll | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- KR
Der Bipolar-Leistungstransistor wurde speziell für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen entwickelt.
Isoliertes Overmold-Gehäuse (1500 Volt RMS Min)
Elektrisch ähnlich wie beim beliebten MjE3055T und MjE2955T.
Collector-Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) 90 Volt
10 Ampere Nennstrom des Kollektors
Keine Trennscheiben erforderlich
Geringere Systemkosten
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
