Renesas Electronics HFA3096BZ SMD, NPN/PNP Transistor Pent 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin

Das Renesas Electronics HFA3096 ist ein Ultrahochfrequenz-Transistor-Array, das aus dem komplementären bipolaren UHF-1-Prozess von Renesas hergestellt wird. Die HFA3096 ist eine NPN-PNP-Kombination. Für maximale Anwendungsflexibilität wird jeder der Klemmen für die einzelnen Transistoren zugänglich. Die monolithische Bauweise dieser Transistorarrays sorgt für eine enge elektrische und thermische Anpassung der fünf Transistoren

NPN-Transistor (fT) 8 GHz
NPN-Stromverstärkung (hFE) ist 130
Die NPN-Frühspannung (VA) beträgt 50 V
PNP-Transistor (fT) ist 5,5 GHz
Die PNP-Stromverstärkung (hFE) beträgt 60
Die PNP-Frühspannung (VA) beträgt 20 V
Die Rauschzahl (50 Ω) bei 1,0 GHz beträgt 3,5 dB
Kollektor-zu-Kollektor-Leckstrom <: 1 pA
Vollständige Isolierung zwischen Transistoren