Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 mA 10000 MHz, SOIC 8-Pin

RS Best.-Nr.:: 921-5683P
Herst. Teile-Nr.:: HFA3101BZ
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 mA 10000 MHz, SOIC 8-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 921-5683P
Herst. Teile-Nr.:: HFA3101BZ
Marke:: Renesas Electronics

HFA3101, Gilbert Cell UHF Transistor Array
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
DC Kollektorstrom max.	30 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	8 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Transistor-Konfiguration	Komplex
Kollektor-Basis-Spannung max.	12 V
Basis-Emitter Spannung max.	5,5 V
Arbeitsfrequenz max.	10000 MHz
Pinanzahl	8
Anzahl der Elemente pro Chip	6
Abmessungen	1.5 x 5 x 4mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C

Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 mA 10000 MHz, SOIC 8-Pin

Gilbertzellen-UHF-Transistorarrays, Intersil