Renesas Electronics Hochgeschwindigkeits-CMOS-Vierfach-Busschalter CBT 4 Elem./Chip 12 x 1:1 16-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 249-4411
- Herst. Teile-Nr.:
- QS3125QG8
- Marke:
- Renesas Electronics
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- QS3125QG8
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- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Logikfamilie | CBT | |
| Produkt Typ | Hochgeschwindigkeits-CMOS-Vierfach-Busschalter | |
| Konfiguration | 12 x 1:1 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Ruhestrom max. | 3μA | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 7V | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Widerstand max. im eingeschalteten Zustand | 7Ω | |
| Ausbreitungsverzögerungszeit max. bei Lastkapazität | 0.25ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | QS3125 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Logikfamilie CBT | ||
Produkt Typ Hochgeschwindigkeits-CMOS-Vierfach-Busschalter | ||
Konfiguration 12 x 1:1 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Ruhestrom max. 3μA | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 7V | ||
Pinanzahl 16 | ||
Widerstand max. im eingeschalteten Zustand 7Ω | ||
Ausbreitungsverzögerungszeit max. bei Lastkapazität 0.25ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie QS3125 | ||
Automobilstandard Nein | ||
QS3125 von Renesas Electronics besteht aus vier Hochgeschwindigkeits-CMOS-Schaltern mit niedrigem Widerstand, die Eingänge und Ausgänge ohne Laufzeitverzögerung und ohne zusätzliches Ground-Bounce-Rauschen verbinden. Das QS3125 ist ideal für Signal- und Steuerschaltungen, da das Gerät dem System kein Rauschen, keine Erdung, keine Verzögerung der Ausbreitung oder keinen erheblichen Stromverbrauch verursacht. QS3125 kann auch für analoge Schaltanwendungen wie z. B. Video verwendet werden. QS3125 arbeitet bei -40 °C bis +85 °C.
Verbesserter N-Kanal-FET ohne inhärente Diode gegen Vcc
Pin-kompatibel mit der Funktion des „74'125“
Unterschwingungs-Klemmdioden an allen Schalt- und Steuereingängen
Hot-Swapping, Hot-Docking
Spannungsumsetzung (5 V auf 3,3 V)
Stromeinsparung
Kapazitätsreduzierung und Isolierung (Massenspeicher, Workstations)
Logikersatz (Datenverarbeitung)
Clock Gating
Busisolierung
Erhältlich in 16-poligen QSOP- und 14-poligen SOIC-Gehäusen
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