Renesas Electronics Busschalter CMOS/TTL 20 Elem./Chip 2 x 4:1 14-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 263-8028P
- Herst. Teile-Nr.:
- QS3253S1G8
- Marke:
- Renesas Electronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 50 - 90 | CHF 0.273 |
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| 1000 + | CHF 0.253 |
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- RS Best.-Nr.:
- 263-8028P
- Herst. Teile-Nr.:
- QS3253S1G8
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Logikfamilie | CMOS/TTL | |
| Produkt Typ | Busschalter | |
| Konfiguration | 2 x 4:1 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 20 | |
| Ruhestrom max. | 3μA | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.3V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Ausbreitungsverzögerungszeit max. bei Lastkapazität | 0.25ns | |
| Widerstand max. im eingeschalteten Zustand | 15Ω | |
| Ausgangsstrom High-Pegel max. | 1.5mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | IDTQS3253 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Logikfamilie CMOS/TTL | ||
Produkt Typ Busschalter | ||
Konfiguration 2 x 4:1 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 20 | ||
Ruhestrom max. 3μA | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.3V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 14 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Ausbreitungsverzögerungszeit max. bei Lastkapazität 0.25ns | ||
Widerstand max. im eingeschalteten Zustand 15Ω | ||
Ausgangsstrom High-Pegel max. 1.5mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie IDTQS3253 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Ein Hochgeschwindigkeits-CMOS-TTL-kompatibler 8:1-Multiplexer/Demultiplexer von Renesas Electronics. Er verfügt über 3-Zustands-Ausgänge. Der niedrige EIN-Widerstand des QS3251 ermöglicht den Anschluss von Eingängen an Ausgängen, ohne eine Verzögerung der Ausbreitung zu erhöhen und ohne zusätzliches Erdungsbounce-Rauschen zu erzeugen.
Verbesserte N-Kanal-FET ohne inhärente Diode zu Vcc
5 Ω bidirektionale Schalter verbinden Eingänge mit Ausgängen
Untershoot-Klemmdioden an allen Schalter- und Steuereingängen
TTL-kompatible Steuereingänge