onsemi PNP Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 463-252
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD127G
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 13.08.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 3 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
CHF.0.882
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 20 - 80 | CHF.0.882 | CHF.17.682 |
| 100 - 480 | CHF.0.641 | CHF.12.831 |
| 500 - 980 | CHF.0.536 | CHF.10.71 |
| 1000 - 2480 | CHF.0.462 | CHF.9.156 |
| 2500 + | CHF.0.42 | CHF.8.40 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 463-252
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD127G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails
PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 8 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 100 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4,5 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.01mA |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.73mm |
| Breite | 6.22mm |
| Höhe | 2.38mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |