onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 100-7565
Herst. Teile-Nr.:: MJ11016G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach

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Marke:: onsemi

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CZ

Produktdetails

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Der on Semiconductor MJ11016G ist ein bipolarer Leistungstransistor mit 30 A, 120 V NPN Darlington. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.
Das MJ11016G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3)-durchkontaktierten Gehäuse geliefert.

• Hohe Gleichstromverstärkung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Abzweigtemperatur: Bis +200 °C.
• NPN-Polarität

Lieferbare Versionen:
463-000 - Packung mit 2 Stück
100-7565 - Schale mit 100 Stück

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	30 A
Kollektor-Emitter-Spannung	120 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	TO-204
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	200
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Länge	39.37mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	8.51mm
Breite	26.67mm
Abmessungen	39.37 x 26.67 x 8.51mm
Betriebstemperatur max.	+200 °C

RS Best.-Nr.:: 100-7565
Herst. Teile-Nr.:: MJ11016G
Marke:: onsemi