onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 121-6413
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD112G
- Marke:
- onsemi
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| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 75 - 75 | CHF.0.368 | CHF.27.878 |
| 150 - 450 | CHF.0.273 | CHF.20.633 |
| 525 - 975 | CHF.0.221 | CHF.16.223 |
| 1050 - 2475 | CHF.0.21 | CHF.15.75 |
| 2550 + | CHF.0.21 | CHF.15.351 |
| *Bitte VPE beachten | ||
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- 121-6413
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD112G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 2 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 3 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 20µA |
| Verlustleistung max. | 20 W |
| Breite | 6.22mm |
| Höhe | 2.38mm |
| Länge | 6.73mm |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |