onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:300, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 145-2940
- Herst. Teile-Nr.:
- NJD35N04G
- Marke:
- onsemi
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| 150 - 300 | CHF.0.63 | CHF.47.093 |
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- 145-2940
- Herst. Teile-Nr.:
- NJD35N04G
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- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 4 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 350 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 300 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 2 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 700 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 1,5 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 250µA |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C |
| Verlustleistung max. | 45 W |
| Breite | 6.22mm |
| Höhe | 2.38mm |
| Länge | 6.73mm |