onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 4-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 178-7525
Herst. Teile-Nr.:: BSP52T1G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 4-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:: 178-7525
Herst. Teile-Nr.:: BSP52T1G
Marke:: onsemi

BSP52T1G, BSP52T3G, NPN Small-Signal Darlington Transistor

RS Best.-Nr.:: 178-7525
Herst. Teile-Nr.:: BSP52T1G
Marke:: onsemi

BSP52T1G, BSP52T3G, NPN Small-Signal Darlington Transistor

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	1 A
Kollektor-Emitter-Spannung	80 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,9 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,3 V
Länge	6.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.57mm
Breite	3.5mm
Betriebstemperatur min.	–65 °C
Abmessungen	6.5 x 3.5 x 1.57mm

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	1 A
Kollektor-Emitter-Spannung	80 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,9 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,3 V
Länge	6.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.57mm
Breite	3.5mm
Betriebstemperatur min.	–65 °C
Abmessungen	6.5 x 3.5 x 1.57mm

onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 4-Pin Einfach

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

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