TE Connectivity DIMM Sockel 0.5 mm 260-polig gewinkelt Platine 1.2V DDR4 SO DIMM SOCKETS 5A
- RS Best.-Nr.:
- 255-7464
- Herst. Teile-Nr.:
- 2309409-2
- Marke:
- TE Connectivity
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- 255-7464
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- 2309409-2
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- TE Connectivity
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | TE Connectivity | |
| Produkt Typ | DIMM Sockel | |
| Typ des Speichersteckplatzes | DIMM | |
| Einführkraft | Cam-In | |
| Montageausrichtung | gewinkelt | |
| Kontaktmaterial | Kupferlegierung | |
| Stromstärke | 5A | |
| Kontaktbeschichtung | Glanzvergoldet | |
| Anzahl der Kontakte | 260 | |
| Rastermaß | 0.5mm | |
| Montageart | Platine | |
| Gehäusematerial | Hochtemperaturfestes Thermoplastmaterial | |
| Rastend | Ja | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Reihenabstand | 8.2mm | |
| Normen/Zulassungen | EU RoHS Directive 2011/65/EU Compliant, EU ELV Directive 2000/53/EC Compliant | |
| Kontaktwiderstand max. | 50mΩ | |
| Serie | DDR4 SO DIMM SOCKETS | |
| Spannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke TE Connectivity | ||
Produkt Typ DIMM Sockel | ||
Typ des Speichersteckplatzes DIMM | ||
Einführkraft Cam-In | ||
Montageausrichtung gewinkelt | ||
Kontaktmaterial Kupferlegierung | ||
Stromstärke 5A | ||
Kontaktbeschichtung Glanzvergoldet | ||
Anzahl der Kontakte 260 | ||
Rastermaß 0.5mm | ||
Montageart Platine | ||
Gehäusematerial Hochtemperaturfestes Thermoplastmaterial | ||
Rastend Ja | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Reihenabstand 8.2mm | ||
Normen/Zulassungen EU RoHS Directive 2011/65/EU Compliant, EU ELV Directive 2000/53/EC Compliant | ||
Kontaktwiderstand max. 50mΩ | ||
Serie DDR4 SO DIMM SOCKETS | ||
Spannung 1.2V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die TE Connectivity-Buchse mit kleinem Dual-Inline-Speichermodul (SO DIMM) ermöglicht eine zuverlässige Verbindung mit Standard-Speichermodulen. SO-DIMM-Sockel wurden für die neuesten DDR4-Speichermodule sowie für die früheren Versionen DDR3-, DDR2-, DDR- und SDRAM-Speichermodule entwickelt.
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