MikroElektronika Speicher-Entwicklungskit FeRAM, Entwicklungsboard, FRAM 2 Klick
- RS Best.-Nr.:
- 165-1404
- Herst. Teile-Nr.:
- MIKROE-2768
- Marke:
- MikroElektronika
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MikroElektronika | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | Speicher-Entwicklungskit | |
| Kit-Klassifizierung | Entwicklungsboard | |
| Kit-Name | FRAM 2 Klick | |
| Speicher-Typ | FeRAM | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MikroElektronika | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ Speicher-Entwicklungskit | ||
Kit-Klassifizierung Entwicklungsboard | ||
Kit-Name FRAM 2 Klick | ||
Speicher-Typ FeRAM | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
FRAM 2 Click umfasst den CY15B104Q 4-Mbit/s (512K x 8) seriellen F-RAM von Cypress. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich einem SRAM durch. Der Zugriff auf den Speicher erfolgt über einen SPI-Bus (Serial Peripheral Interface) nach Industriestandard. Auf funktionaler Ebene arbeitet der F-RAM ähnlich wie serielle Flash-Speicher und serielle EEPROMs. Der Hauptunterschied zwischen dem CY15B104Q und einem seriellen Flashspeicher oder EEPROM mit derselben Anschlussbelegung ist die überragende Schreibleistung, die Langlebigkeit und die niedrige Leistungsaufnahme des F-RAM.
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