Transcend MTE662P-I, M.2 Intern HDD-Festplatte NVMe PCIe Gen 3 x 4 Industrieausführung, TLC, 124 TB, SSD
- RS Best.-Nr.:
- 240-5464
- Herst. Teile-Nr.:
- TS1TMTE662P-I
- Marke:
- Transcend
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- TS1TMTE662P-I
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- Transcend
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Transcend | |
| Festplattentyp | SSD | |
| Modell | MTE662P-I | |
| Intern/Extern | Intern | |
| Formfaktor | M.2 | |
| Industrieausführung | Ja | |
| Kapazität | 124 TB | |
| Interface | NVMe PCIe Gen 3 x 4 | |
| Nand-Typ | TLC | |
| Selbstzerstörung | Nein | |
| Temperaturbereich | -40 → +85°C | |
| Abmessungen | 80 x 22 x 3.88mm | |
| Länge | 80mm | |
| Breite | 22mm | |
| Gewicht | 9g | |
| Höhe | 3.88mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Transcend | ||
Festplattentyp SSD | ||
Modell MTE662P-I | ||
Intern/Extern Intern | ||
Formfaktor M.2 | ||
Industrieausführung Ja | ||
Kapazität 124 TB | ||
Interface NVMe PCIe Gen 3 x 4 | ||
Nand-Typ TLC | ||
Selbstzerstörung Nein | ||
Temperaturbereich -40 → +85°C | ||
Abmessungen 80 x 22 x 3.88mm | ||
Länge 80mm | ||
Breite 22mm | ||
Gewicht 9g | ||
Höhe 3.88mm | ||
- Ursprungsland:
- TW
Transcend SSD-Festplatte, 124TB Kapazität, NVMe PCIe Gen 3 x 4 Schnittstelle - TS1TMTE662P-I
Dieses Solid State-Laufwerk verfügt über einen internen M.2-Formfaktor und bietet außergewöhnliche Speichermöglichkeiten und Leistung. Mit einer Größe von 80 mm x 22 mm x 3,88 mm integriert sie fortschrittliche 3D-NAND-Technologie mit einer bemerkenswerten Kapazität von 124 TB und arbeitet effizient in einem breiten Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.
Merkmale und Vorteile
• Verwendet die NVMe PCIe Gen 3 x 4 Schnittstelle für schnelle Datenübertragungen
• Mit TLC NAND-Technologie für verbesserte Haltbarkeit
• Ausgestattet mit DDR4-DRAM-Cache für schnellen Datenzugriff
• Mit Intelligent Power Shield zum Schutz der Datenintegrität
• Getestet für 3K Programm-/Löschzyklen für zuverlässige Leistung
• Entwickelt mit erweiterter Temperaturbeständigkeit für verschiedene Anwendungen
• Mit TLC NAND-Technologie für verbesserte Haltbarkeit
• Ausgestattet mit DDR4-DRAM-Cache für schnellen Datenzugriff
• Mit Intelligent Power Shield zum Schutz der Datenintegrität
• Getestet für 3K Programm-/Löschzyklen für zuverlässige Leistung
• Entwickelt mit erweiterter Temperaturbeständigkeit für verschiedene Anwendungen
Anwendungen
• Einsatz für anspruchsvolle Automatisierungsaufgaben in der Industrie
• Wird in der Elektronik verwendet, um eine schnelle Datenweiterleitung und -speicherung zu gewährleisten
• Vorteilhaft für elektrische Geräte, die eine robuste Datenintegrität erfordern
• Ideal für mechanische Industrien, die SSD-Speicher mit hoher Kapazität benötigen
• Wird in der Elektronik verwendet, um eine schnelle Datenweiterleitung und -speicherung zu gewährleisten
• Vorteilhaft für elektrische Geräte, die eine robuste Datenintegrität erfordern
• Ideal für mechanische Industrien, die SSD-Speicher mit hoher Kapazität benötigen
Wie bewältigt dieses Laufwerk die Hochleistungsdatenübertragung?
Das Laufwerk nutzt die NVMe PCIe Gen 3 x 4-Schnittstellentechnologie, die die Datenübertragungsraten erheblich steigert und damit für hochintensive Anwendungen in verschiedenen Branchen geeignet ist.
In welchen Temperaturbereichen kann dieses Solid State-Laufwerk betrieben werden?
Er arbeitet effizient in einem Bereich von -40°C bis +85°C und eignet sich damit für anspruchsvolle Umgebungen, in denen herkömmliche Antriebe versagen können.
Welche Maßnahmen werden ergriffen, um die Zuverlässigkeit der Daten zu gewährleisten?
Er verfügt über ein Intelligent Power Shield, das die Daten bei plötzlichen Stromausfällen schützt, sowie über fortschrittliche Fehlerkorrekturfunktionen, die durch die integrierte LDPC ECC-Technologie bereitgestellt werden.
Wie verhält sich das Laufwerk im Laufe der Zeit?
Mit seinen globalen Verschleißausgleichs- und Blockverwaltungsfunktionen verlängert das Laufwerk seine Lebensdauer, indem es die Schreib- und Löschzyklen gleichmäßig auf die Speicherzellen verteilt und so Langlebigkeit und zuverlässigen Betrieb gewährleistet.
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