Transcend MTE710T-I, M,2 (2280) Innen- SSD Ja, 3D TLC

Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
RS Best.-Nr.:
262-9699
Herst. Teile-Nr.:
TS1TMTE710T-I
Marke:
Transcend
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Transcend

Modellnummer

MTE710T-I

Produkt Typ

SSD

Interne/Externe Bauform

Innen-

Formfaktor / Baugröße

M,2 (2280)

Industriequalität

Ja

NAND-Typ

3D TLC

Schnittstellentyp

NVMe PCIe Gen 4 x4

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Betriebstemperatur min.

-40°C

Normen/Zulassungen

NVM Express specification 1.4, RoHS 2.0 standards

RoHS Status: Ausgenommen

Transcend SSD-Festplatte, 1TB Kapazität, NVMe PCIe Gen 4 x 4 Schnittstelle - TS1TMTE710T-I


Dieses Solid-State-Laufwerk bietet leistungsstarke Speicherlösungen mit einer Kapazität von 1 TB. Mit dem kompakten M.2 2280-Formfaktor passt er nahtlos in verschiedene Computergeräte und gewährleistet gleichzeitig Effizienz und Geschwindigkeit. Mit einer internen Architektur, die robust genug für industrielle Anwendungen ist, garantiert sie Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

Merkmale und Vorteile


• PCIe Gen 4 x4-Schnittstelle ermöglicht ultraschnelle Datenübertragungen

• Verwendet 112-lagiges 3D TLC NAND für verbesserte Speichereffizienz

• Integrierter DDR4-DRAM-Cache verbessert Geschwindigkeit und Zugriffszeiten

• Breiter Temperaturbereich von -40°C bis 85°C gewährleistet Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen

• Dynamische thermische Drosselung schützt vor Überhitzung bei intensivem Betrieb

Anwendungen


• Für die Hochgeschwindigkeitsdatenverarbeitung in Automatisierungssystemen

• Geeignet für eingebettete Lösungen in der Industrieelektronik

• Einsetzbar in mechanischen Systemen, die robuste Speicherlösungen erfordern

• Ideal für elektrotechnische Bereiche, die eine zuverlässige Datenabfrage erfordern

Welche Bedeutung hat die 112-lagige 3D-NAND-Technologie?


Die 112-lagige 3D-NAND-Technologie erhöht die Speicherdichte, was zu einer verbesserten Effizienz und Leistung führt und gleichzeitig schnellere Lese-/Schreibvorgänge im Vergleich zu herkömmlichen Lagendesigns ermöglicht.

Wie wirkt sich die PCIe Gen 4 x4-Schnittstelle auf die Leistung aus?


Diese Schnittstelle ermöglicht deutlich höhere Datenübertragungsraten von bis zu 3.800 MB/s beim Lesen und 3.200 MB/s beim Schreiben, was Benutzern, die einen schnellen Zugriff auf große Dateien benötigen, sehr zugute kommt.

Welchen Umwelteinflüssen kann dieser Antrieb standhalten?


Dieser Antrieb ist für den Betrieb bei extremen Temperaturen von -40°C bis 85°C ausgelegt und eignet sich daher sowohl für den Einsatz in Standard- als auch in Industrieumgebungen, in denen Temperaturschwankungen üblich sind.

Welchen Einfluss hat der DRAM-Cache auf die Gesamteffizienz des Laufwerks?


Der eingebettete DDR4-DRAM-Cache beschleunigt den Datenzugriff, ermöglicht schnellere Lese-/Schreibvorgänge und reduziert so die Latenzzeit bei intensiven Aufgaben wie Datenanalyse oder Programmausführung.

Verwandte Links