Samsung MZ-V8V1T0BW, M,2 (2280) 1 TB Innen- SSD, V-NAND, 256-Bit-AES-Verschlüsselung

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RS Best.-Nr.:
283-6321
Herst. Teile-Nr.:
MZ-V8V1T0BW
Marke:
Samsung
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Marke

Samsung

Produkt Typ

SSD

Modellnummer

MZ-V8V1T0BW

Speicher Größe

1TB

Interne/Externe Bauform

Innen-

Formfaktor / Baugröße

M,2 (2280)

NAND-Typ

V-NAND

Schnittstellentyp

PCIe Gen 3.0 x4 NVMe

Verschlüsselungsstufe

256-Bit-AES-Verschlüsselung

Betriebstemperatur min.

0°C

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Breite

22.15 mm

Höhe

2.8mm

Länge

80.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS, REACH

Ursprungsland:
VN
Die hochmoderne NVMe-SSD bietet unvergleichliche Leistung und Zuverlässigkeit für Technikbegeisterte, Gamer und Profis. Mit sequenziellen Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 3.500/3.300 MB/s und einer branchenführenden Ausdauer von bis zu 1.200 TBW wurde diese SSD entwickelt, um die Datenverarbeitung mit überlegener Zuverlässigkeit und Kapazität zu beschleunigen.

Nutzt den bewährten Phoenix-Controller und Samsungs neueste V-NAND-Technologie für optimierte Leistung

Intelligente TurboWrite-Technologie für schnellere Schreibgeschwindigkeiten und verbesserte Energieeffizienz

Dynamic Thermal Guard für effektives Wärmemanagement und optimale Zuverlässigkeit

Erhältlich in den Kapazitäten 512 GB und 1 TB, was ein flexibles Systemdesign ermöglicht

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