ams OSRAM SFH Silizium-PIN-Fotodiode 400 bis 1100 nm 65 ° 900 nm, Reflow-Löten Klares Epoxid-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 733-062
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 2704H
- Marke:
- ams OSRAM
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- 733-062
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 2704H
- Marke:
- ams OSRAM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkannte Spektren | 400 bis 1100 nm | |
| Produkt Typ | Silizium-PIN-Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm | |
| Gehäusegröße | Klares Epoxid | |
| Verpackungsart | Klares Epoxid | |
| Montageart | Reflow-Löten | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 400nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 67ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 600μm | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 1.8mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Regelanstiegszeit | 47ns | |
| Dunkelstrom | 25nA | |
| Serie | SFH | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkannte Spektren 400 bis 1100 nm | ||
Produkt Typ Silizium-PIN-Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 900nm | ||
Gehäusegröße Klares Epoxid | ||
Verpackungsart Klares Epoxid | ||
Montageart Reflow-Löten | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 400nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 67ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 600μm | ||
Länge 2mm | ||
Breite 1.8mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Regelanstiegszeit 47ns | ||
Dunkelstrom 25nA | ||
Serie SFH | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Die Silizium-PIN-Fotodiode von ams OSRAM bietet eine hohe Empfindlichkeit für digitale Diagnosegeräte und VITAL-Zeichenüberwachung. Diese Komponente verfügt über ein klares Epoxidharzgehäuse, das auf Langlebigkeit und Präzision ausgelegt ist, was sie zu einer idealen Wahl für fortschrittliche medizinische und industrielle Sensor-Hardware macht.
Spektrale Empfindlichkeit von 400 nm bis 1100 nm
Schutz vor elektrostatischer Entladung bis zu 2 kV
Kompatibel mit automatisiertem Reflow-Löten
Transparentes Epoxidgehäuse für maximale Lichtdurchlässigkeit
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