Vishay TEFD Fotodiode IR 950nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 145-1980
- Herst. Teile-Nr.:
- TEFD4300
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Beutel mit 1000 Stück)*
CHF.273.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | CHF.0.273 | CHF.273.00 |
| 2000 + | CHF.0.263 | CHF.261.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-1980
- Herst. Teile-Nr.:
- TEFD4300
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 950nm | |
| Gehäusetyp | T1 | |
| Montage Typ | THT | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| Wellenlänge max. | 1120nm | |
| Fallzeit typ. | 100ns | |
| Höhe über Panel | 4.5mm | |
| Durchmesser | 3.2mm | |
| Kurzschlussstrom | 15µA | |
| Serie | TEFD | |
| Durchschlagspannung | 60V | |
| Regelanstiegszeit | 100ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 950nm | ||
Gehäusetyp T1 | ||
Montage Typ THT | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
Wellenlänge max. 1120nm | ||
Fallzeit typ. 100ns | ||
Höhe über Panel 4.5mm | ||
Durchmesser 3.2mm | ||
Kurzschlussstrom 15µA | ||
Serie TEFD | ||
Durchschlagspannung 60V | ||
Regelanstiegszeit 100ns | ||
- Ursprungsland:
- PH
PIN-Fotodioden Serie TEFD4300
Die Serie TEFD4300 von Vishay Semiconductor umfasst PIN-Fotodioden mit einer hohen Strahlungsempfindlichkeit. Sie werden in durchkontaktierten Standardgehäusen in 3 mm (T-1) in klarer Ausführung und mit Tageslichtfilter geliefert. Geeignete Anwendungen umfassen: Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren für Datenübertragung, optische Schalter, Zähler und Sortierer, Unterbrecher, Codierer und Positionssensoren.
Leistungsmerkmale:
• Gehäusetyp: Bleihaltig
• Gehäuseform: T-1
• Abmessungen (in mm): Ø 3
• Hohe Strahlungsempfindlichkeit
• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
• Schnelle Reaktionszeiten
• Winkel mit halber Empfindlichkeit: Φ = ±20°
• Gehäuse passend für IR-Sender der Serie VSLB3940
Anwendungen:
• Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor für die Datenübertragung
• Optische Schalter
• Zähler und Sortierer
• Unterbrecher
• Encoder
• Positionssensoren
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Fotodiode IR 950nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- Vishay PIN-Fotodiode IR 950nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- Vishay BP1 Fotodiode IR 950nm Si, THT 2-Pin
- Vishay BPW Fotodiode IR, Sichtbares Licht 950nm Si, THT 2-Pin
- Vishay Fotodiode IR 950nm Si, THT Side-View-Gehäuse 2-Pin
- Vishay PIN-Fotodiode Tageslicht 950nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- Vishay Fotodiode IR 950nm Si, SMD 0805-Gehäuse 2-Pin
- Vishay Fotodiode IR 950nm Si, SMD GW-Gehäuse 2-Pin
