OSI Optoelectronics UV Fotodiode 254nm Si, THT Flaches Profil-Gehäuse 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
176-9786
Herst. Teile-Nr.:
UV-100L
Marke:
OSI Optoelectronics
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Marke

OSI Optoelectronics

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

254nm

Gehäusetyp

Flaches Profil

Verstärkerfunktion

Nein

Montage Typ

THT

Anzahl der Pins

3

Diodenmaterial

Si

Wellenlänge min.

UV-100L

Wellenlänge max.

254nm

Länge

24.76mm

Höhe über Panel

4.826mm

Durchmesser

25.4mm

Spitzenphotosensibilität

0.14A/W

Nebenwiderstand

10000KΩ

Regelanstiegszeit

5.9ns

Serie

UV

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
US
OSI Optoelectronics bietet zwei verschiedene Familien von UV-verstärkten Silizium-Photodioden an. Inversionskanal-Serie und planare diffuse Serie. Beide Gerätefamilien sind speziell für die rauscharme Detektion im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums konzipiert. Inversionsschichtstruktur UV-verstärkte Photodioden weisen eine 100%-ige interne Quanteneffizienz auf und sind gut geeignet für Lichtmessungen mit geringer Intensität. Sie haben einen hohen Nebenschlusswiderstand, geringes Rauschen und hohe Durchschlagsspannungen. Die Gleichmäßigkeit des Ansprechverhaltens über die Oberfläche und die Quanteneffizienz verbessern sich mit 5 bis 10 Volt angelegter Sperrvorspannung.

ProduktanwendungenVerschmutzungsüberwachungMedizintechnische MesstechnikUV-BelichtungsmesserErweiterte RealitätWasseraufbereitungFluoreszenzProduktmerkmaleInversionsreihe: 100 % Interne QEHoher NebenschlusswiderstandAusgezeichnetes UV-Ansprechen