OSI Optoelectronics UV Fotodiode Infrarot 65 ° 254 nm, Durchsteckmontage 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 176-9786
- Herst. Teile-Nr.:
- UV-100L
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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- UV-100L
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 254nm | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| erfasste Wellenlänge max. | 254nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.826mm | |
| Länge | 24.76mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Durchmesser | 25.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | UV | |
| Regelanstiegszeit | 5.9ns | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Dunkelstrom | 500pA | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 254nm | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
erfasste Wellenlänge max. 254nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.826mm | ||
Länge 24.76mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Durchmesser 25.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie UV | ||
Regelanstiegszeit 5.9ns | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Dunkelstrom 500pA | ||
Polarität Vorwärts | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- US
OSI Optoelectronics bietet zwei verschiedene Familien von UV-verstärkten Silizium-Photodioden an. Inversionskanal-Serie und planare diffuse Serie. Beide Gerätefamilien sind speziell für die rauscharme Detektion im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums konzipiert. Inversionsschichtstruktur UV-verstärkte Photodioden weisen eine 100%-ige interne Quanteneffizienz auf und sind gut geeignet für Lichtmessungen mit geringer Intensität. Sie haben einen hohen Nebenschlusswiderstand, geringes Rauschen und hohe Durchschlagsspannungen. Die Gleichmäßigkeit des Ansprechverhaltens über die Oberfläche und die Quanteneffizienz verbessern sich mit 5 bis 10 Volt angelegter Sperrvorspannung.
ProduktanwendungenVerschmutzungsüberwachungMedizintechnische MesstechnikUV-BelichtungsmesserErweiterte RealitätWasseraufbereitungFluoreszenzProduktmerkmaleInversionsreihe: 100 % Interne QEHoher NebenschlusswiderstandAusgezeichnetes UV-Ansprechen
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