OSI Optoelectronics UV Fotodiode 254nm Si, THT Flaches Profil-Gehäuse 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 176-9786
- Herst. Teile-Nr.:
- UV-100L
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
OSI Optoelectronics bietet zwei verschiedene Familien von UV-verstärkten Silizium-Photodioden an. Inversionskanal-Serie und planare diffuse Serie. Beide Gerätefamilien sind speziell für die rauscharme Detektion im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums konzipiert. Inversionsschichtstruktur UV-verstärkte Photodioden weisen eine 100%-ige interne Quanteneffizienz auf und sind gut geeignet für Lichtmessungen mit geringer Intensität. Sie haben einen hohen Nebenschlusswiderstand, geringes Rauschen und hohe Durchschlagsspannungen. Die Gleichmäßigkeit des Ansprechverhaltens über die Oberfläche und die Quanteneffizienz verbessern sich mit 5 bis 10 Volt angelegter Sperrvorspannung.
ProduktanwendungenVerschmutzungsüberwachungMedizintechnische MesstechnikUV-BelichtungsmesserErweiterte RealitätWasseraufbereitungFluoreszenzProduktmerkmaleInversionsreihe: 100 % Interne QEHoher NebenschlusswiderstandAusgezeichnetes UV-Ansprechen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 254nm |
| Gehäusetyp | Flaches Profil |
| Montage Typ | THT |
| Verstärkerfunktion | Nein |
| Anzahl der Pins | 3 |
| Diodenmaterial | Si |
| Wellenlänge min. | UV-100L |
| Wellenlänge max. | 254nm |
| Länge | 24.76mm |
| Höhe über Panel | 4.826mm |
| Spitzenphotosensibilität | 0.14A/W |
| Durchmesser | 25.4mm |
| Regelanstiegszeit | 5.9ns |
| Nebenwiderstand | 10000KΩ |
| Serie | UV |