OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR 970nm Si, THT TO18-Gehäuse 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 177-5574
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-040A
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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- OSI Optoelectronics
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 970nm | |
| Gehäusetyp | TO18 | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Montage Typ | THT | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Höhe über Panel | 5.08mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.65A/W | |
| Durchmesser | 5.33mm | |
| Polarität | Umgekehrt | |
| Serie | Photoconductive | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 970nm | ||
Gehäusetyp TO18 | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Montage Typ THT | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Höhe über Panel 5.08mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.65A/W | ||
Durchmesser 5.33mm | ||
Polarität Umgekehrt | ||
Serie Photoconductive | ||
Fotodioden der Serie Photoconductive von OSI
Bei der Serie Photoconductive von OSI Optoelectronics handelt es sich um planare diffuse Silizium-Fotodioden für Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit und hoher Empfindlichkeit. Durch ihren Spektralbereich (350–1100 nm) ist die Photoconductive-Serie geeignet für sichtbare Anwendungen und Anwendungen nahe am IR-Licht. Diese Universalfotodioden eignen sich für Anwendungen wie Impulsdetektoren, Strichcodelesegeräte, optische Fernsteuerungen, optische Kommunikation, medizintechnische Geräte und Lichtstärkemessung mit hoher Geschwindigkeit.
Merkmale der Serie Photoconductive:
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
Niedriger Dunkelstrom
Großer Dynamikbereich
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
Niedriger Dunkelstrom
Großer Dynamikbereich
Fotodioden, OSI Optoelectronics
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