OSI Optoelectronics FCI-InGaAS Fotodiode Infrarot 65 ° 1550 nm, Durchsteckmontage TO-8-Gehäuse 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 177-5579
- Herst. Teile-Nr.:
- FCI-INGAAS-Q3000
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- FCI-INGAAS-Q3000
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 1550nm | |
| Gehäusegröße | TO-8 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Anzahl der Pins | 8 | |
| Wellenlänge min. | 1100nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1620nm | |
| Fallzeit typ. | 24ns | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 13.97mm | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Durchmesser | 15.24mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Regelanstiegszeit | 24ns | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Dunkelstrom | 0.2nA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Polarität | Invertiert | |
| Serie | FCI-InGaAS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 1550nm | ||
Gehäusegröße TO-8 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Anzahl der Pins 8 | ||
Wellenlänge min. 1100nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1620nm | ||
Fallzeit typ. 24ns | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 13.97mm | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Durchmesser 15.24mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Regelanstiegszeit 24ns | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Dunkelstrom 0.2nA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Polarität Invertiert | ||
Serie FCI-InGaAS | ||
- Ursprungsland:
- US
OSI InGaAs-Fotodioden für große aktive Flächen
Bei der Serie FCI-InGaAs-xxx-x von OSI Optoelectronics handelt es sich um InGaAs-Fotodioden für große aktive Flächen. Es ist eine Serie von IR-empfindlichen Detektoren, die hohe Empfindlichkeit bieten (1100–1620 nm). Sie haben ein TO-46- oder TO-5-Gehäuse mit einem flachen Fenster. Geeignete Anwendungen für diese Familie von Fotodioden umfassen die IR-Messtechnik, Überwachung, optische Messtechnik, Leistungsmessung, IR-Erfassung und medizinische Geräte.
Leistungsmerkmale:
Großer aktiver Bereich: 1 mm, 1,5 mm und 3 mm
Hohe Empfindlichkeit
Rauscharm
Spektralbereich: 900–1700 nm
Fotodioden, OSI Optoelectronics
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