OSI Optoelectronics FCI-InGaAs Fotodiode IR 1550nm InGaAs, THT TO-46, to-5-Gehäuse 2-Pin

Die Serie FCI-InGaAs-XXX-X mit aktiven Flächen von 1 mm, 1,5 mm und 3 mm gehört zum Programm der IR-Detektoren von OSI Optoelectronics mit großer aktiver Fläche, die eine ausgezeichnete Empfindlichkeit von 1100 nm bis 1620 nm aufweisen und damit für schwache Signale geeignet sind. Diese Geräte mit großer aktiver Fläche sind ideal für den Einsatz in Infrarot-Messgeräten und Überwachungsanwendungen. Die Fotodioden-Chips befinden sich in isolierten TO-46 oder TO-5 Gehäusen mit einem doppelseitigen AR-beschichteten Breitband-Flachfenster. FCI-InGaAs-1500-X und FCI-InGaAs-3000-X werden mit unterschiedlichen Shunt-Widerstandswerten von 5, 10, 20, 30 und 40 MΩ geliefert.

Hohe Empfindlichkeit
Große aktive Fläche
Rauscharm
Spektralbereich: 900 nm bis 1700 nm
ANWENDUNGEN
Optische Messinstrumente
Leistungsmessung
IR-Erfassung
Medizinische Geräte