OSI Optoelectronics DP Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-5-Gehäuse 3-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
184-1893
Herst. Teile-Nr.:
PIN-5DPI
Marke:
OSI Optoelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

OSI Optoelectronics

Produkt Typ

Fotodiode

Erkannte Spektren

Infrarot

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

970nm

Gehäusegröße

TO-5

Montageart

Durchsteckmontage

Verpackungsart

Band und Rolle

Anzahl der Pins

3

Wellenlänge min.

350nm

erfasste Wellenlänge max.

1100nm

Fallzeit typ.

0.6ns

Betriebstemperatur min.

-25°C

Verstärkt

Nein

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.572mm

Länge

8.255mm

Breite

5mm

Durchmesser

9.14mm

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

65 °

Serie

DP

Dunkelstrom

1nA

Polarität

Vorwärts

Durchschlagspannung

30V

Regelanstiegszeit

60ns

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Die planaren diffusen Silizium-Fotodioden der OSI Optoelectronics PIN-020A-Fotovoltaik-Serie werden für Anwendungen verwendet, die eine hohe Empfindlichkeit und mittlere Ansprechgeschwindigkeiten erfordern, mit einer zusätzlichen Empfindlichkeit im sichtbaren blauen Bereich für die blau verbesserte Serie. Diese Detektoren haben einen hohen Shunt-Widerstand und geringes Rauschen und weisen eine langfristige Stabilität auf. Der Abstand von der Top-of-Chip zur Top-of-Glasplatte beträgt 0,094 Zoll. Der Abstand von Top-of-Glas-Boden des Gehäuses beträgt 0,180 Zoll. Fensterdurchmesser 0,240 Zoll

Extrem rauscharm

Hoher Nebenwiderstand

Großer Dynamikbereich

Erhöhte Blauempfindlichkeit

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.