Vishay AEC-Q101 TEMD Fotodiode Infrarot, Sichtbares Licht 940 nm, Oberfläche Draufsicht-Gehäuse 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 710-3828
- Herst. Teile-Nr.:
- TEMD5010X01
- Marke:
- Vishay
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- TEMD5010X01
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Infrarot, Sichtbares Licht | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 940nm | |
| Gehäusegröße | Draufsicht | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Anzahl der Pins | 4 | |
| Wellenlänge min. | 430nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 100ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Verstärkt | Nein | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4.24mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, RoHS 2002/95/EC, WEEE 2002/96/EC | |
| Leerlaufspannung | 350mV | |
| Regelanstiegszeit | 100ns | |
| Serie | TEMD | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Durchschlagspannung | 60V | |
| Kurzschlussstrom | 50μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Infrarot, Sichtbares Licht | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 940nm | ||
Gehäusegröße Draufsicht | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Oberfläche | ||
Anzahl der Pins 4 | ||
Wellenlänge min. 430nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 100ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Verstärkt Nein | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4.24mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, RoHS 2002/95/EC, WEEE 2002/96/EC | ||
Leerlaufspannung 350mV | ||
Regelanstiegszeit 100ns | ||
Serie TEMD | ||
Polarität Vorwärts | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Durchschlagspannung 60V | ||
Kurzschlussstrom 50μA | ||
PIN-Fotodioden der Serie TEMD5010
Bei der TEMD5010 von Vishay Semiconductors handelt es sich um eine Silizium-PIN-Fotodiode. Sie wird in kompakten, SMD-Gehäusen geliefert und enthält einen Chip mit einer empfindliche Fläche von 7,5 mm². Die TEMD5010 erkennt sichtbare und nahe IR-Strahlung. Sie sind ideal für den Einsatz von Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor-Anwendungen.
Merkmale der TEMD5010-Fotodiode:
Oberflächenmontage (SMD)
obere Optik
Maße: 5 x 4,24 x 1,12
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Hohe Fotoempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 65°
Fotodioden, Vishay Semiconductor
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