OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Oberfläche 1-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 848-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-10D
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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- PIN-10D
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 970nm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Pins | 1 | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Verstärkt | Nein | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 26.16mm | |
| Länge | 24.77mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Regelanstiegszeit | 0.6ns | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Polarität | Invertiert | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | Photoconductive | |
| Dunkelstrom | 0.2nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 970nm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Pins 1 | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Verstärkt Nein | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 26.16mm | ||
Länge 24.77mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Regelanstiegszeit 0.6ns | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Polarität Invertiert | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie Photoconductive | ||
Dunkelstrom 0.2nA | ||
- Ursprungsland:
- MY
Fotodioden der Serie Photoconductive von OSI
Bei der Serie Photoconductive von OSI Optoelectronics handelt es sich um planare diffuse Silizium-Fotodioden für Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit und hoher Empfindlichkeit. Durch ihren Spektralbereich (350–1100 nm) ist die Photoconductive-Serie geeignet für sichtbare Anwendungen und Anwendungen nahe am IR-Licht. Diese Universalfotodioden eignen sich für Anwendungen wie Impulsdetektoren, Strichcodelesegeräte, optische Fernsteuerungen, optische Kommunikation, medizintechnische Geräte und Lichtstärkemessung mit hoher Geschwindigkeit.
Merkmale der Serie Photoconductive:
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
Niedriger Dunkelstrom
Großer Dynamikbereich
Fotodioden, OSI Optoelectronics
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