ams OSRAM SFH 3219 Fototransistor Infrarot, Sichtbares Licht 7 μs / 85 μA Klares Epoxid
- RS Best.-Nr.:
- 262-3320
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 3219
- Marke:
- ams OSRAM
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- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 3219
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- ams OSRAM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkannte Spektren | Infrarot, Sichtbares Licht | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Fallzeit typ. | 7μs | |
| Regelanstiegszeit | 7μs | |
| Wellenlänge Spitze | 990nm | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Lichtstrom max. | 85μA | |
| Dunkelstrom max. | 50nA | |
| Gehäusegröße | Klares Epoxid | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Kollektorstrom | 15mA | |
| Normen/Zulassungen | ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2) | |
| Serie | SFH 3219 | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 35V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkannte Spektren Infrarot, Sichtbares Licht | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Fallzeit typ. 7μs | ||
Regelanstiegszeit 7μs | ||
Wellenlänge Spitze 990nm | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Lichtstrom max. 85μA | ||
Dunkelstrom max. 50nA | ||
Gehäusegröße Klares Epoxid | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Kollektorstrom 15mA | ||
Normen/Zulassungen ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2) | ||
Serie SFH 3219 | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 35V | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Silizium-NPN-Fototransistoren der Linse OSRAM TOPLED von ams haben einen typischen Spektralbereich der Empfindlichkeit zwischen 450 und 1150 nm. Seine maximale Verlustleistung beträgt 165 mW. Diese Silizium-NPN-Fototransistoren eignen sich für elektronische Geräte, Haushaltsgeräteanwendungen.
Das Gehäuse besteht aus schwarzem Epoxidharz
Hohe Linearität
Gleiche Verpackung wie SFH 4249, SFH 4259
Geeignet für alle Lötmethoden
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