ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 10μs, 730nm → 1120nm / 7700μA, 2-Pin 5mm

RS Best.-Nr.:: 654-8047P
Herst. Teile-Nr.:: SFH 300 FA-3/4
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 10μs, 730nm → 1120nm / 7700μA, 2-Pin 5mm

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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250 - 490	CHF.0.273
500 +	CHF.0.231

RS Best.-Nr.:: 654-8047P
Herst. Teile-Nr.:: SFH 300 FA-3/4
Marke:: ams OSRAM

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Produktdetails

Fototransistor-Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)

Diese Produktfamilie von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 5 mm (T-1 3/4) Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind computergesteuerte Blitze, Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.

5 mm (T-1 3/4) Gehäuse
Durchgangsbohrung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	10µs
Regelanstiegszeit	10µs
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	7700µA
Dunkelstrom max.	50nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	50 °
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	THT
Gehäusetyp	5 mm (T-1 3/4)
Abmessungen	5.9 x 5.9 x 9mm
Kollektorstrom	50mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich	730 → 1120 nm
Wellenlänge max.	1120nm
Wellenlänge min.	730nm
Breite	5.9mm
Länge	5.9mm
Höhe über Panel	9mm

RS Best.-Nr.:: 654-8047P
Herst. Teile-Nr.:: SFH 300 FA-3/4
Marke:: ams OSRAM