ams OSRAM Metal Can TO18 Durchsteckmontage 110 ° Fototransistor Sichtbares Licht, Infrarot 12 μs / 950 μA, 3-Pin TO-18
- RS Best.-Nr.:
- 654-8255
- Herst. Teile-Nr.:
- BP 103-3/4
- Marke:
- ams OSRAM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkannte Spektren | Sichtbares Licht, Infrarot | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Fallzeit typ. | 12μs | |
| Wellenlänge Spitze | 850nm | |
| Regelanstiegszeit | 12μs | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Lichtstrom max. | 950μA | |
| Dunkelstrom max. | 50nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 110 ° | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TO-18 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 80°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.5mm | |
| Länge | 5.5mm | |
| Kollektorstrom | 100mA | |
| Durchmesser | 4.1mm | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Serie | Metal Can TO18 | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 35V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkannte Spektren Sichtbares Licht, Infrarot | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Fallzeit typ. 12μs | ||
Wellenlänge Spitze 850nm | ||
Regelanstiegszeit 12μs | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Lichtstrom max. 950μA | ||
Dunkelstrom max. 50nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 110 ° | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TO-18 | ||
Maximale Betriebstemperatur 80°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.5mm | ||
Länge 5.5mm | ||
Kollektorstrom 100mA | ||
Durchmesser 4.1mm | ||
Höhe 3.6mm | ||
Serie Metal Can TO18 | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 35V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 7V | ||
Fototransistor-Gehäuse TO-18
Diese Familie von NPN-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in durchkontaktierten TO-18-Standardgehäusen. Durch diese TO-18-Metallgehäuse sind diese Fototransistoren ideal für Anwendungen in schwierigen Umgebungen.
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
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