Vishay VEMT2000X01 Oberfläche 30 ° Fototransistor Infrarot / 9000 μA, 2-Pin GW

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Herst. Teile-Nr.:
VEMT2000X01
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Erkannte Spektren

Infrarot

Produkt Typ

Fototransistor

Wellenlänge Spitze

860nm

Verpackungsart

Band und Rolle

Anzahl der Kanäle

1

Lichtstrom max.

9000μA

Dunkelstrom max.

100nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

30 °

Anzahl der Pins

2

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

GW

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Normen/Zulassungen

WEEE 2002/96/EC, Halogen Free IEC 61249-2-21, RoHS Directive 2002/95/EC

Kollektorstrom

50mA

Durchmesser

1.8mm

Höhe

2.77mm

Länge

2.3mm

Breite

2.3mm

Emitter-Kollektor-Spannung

7V

Automobilstandard

AEC-Q101

Serie

VEMT2000X01

Kollektor-Emitter-Spannung

20V

Fototransistoren Serie VEMT2000 und VEMT2020


Die Serien VEMT2000 und VEMT2020 von Vishay Semiconductor sind eine Familie von epitaktischen planaren Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie sind in SMD-Subminiatur-Gehäuse mit einer Reihe von Anschlussoptionen untergebracht. Die Serien VEMT2000 und VEMT2020 besitzen ein schwarzes Kunststoffgehäuse mit Tageslichtfilter, der sichtbares Umgebungslicht fernhält.

Geeignete Anwendungen für die Fototransistoren VEMT2000 und VEMT2020 umfassen: Lichtschranken-Detektoren, Miniaturschalter, Detektoren in Kfz-Anwendungen, Zähler, Codierer und Positionsgeber.

Merkmale der Fototransistoren VEMT2000 und VEMT2020:

Subminiatur-Gehäuse

Oberflächenmontage (SMD)

Verschiedene Anschlusskabeltypen: GW und RGW

Hohe Strahlungsempfindlichkeit

Schnelle Ansprechzeiten

Winkel für halbe Intensität: 15°

IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor


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