onsemi THT Fototransistor IR 8μs → 880nm, 2-Pin, Side-View Gehäuse

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Nicht mehr im Sortiment

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	8µs
Regelanstiegszeit	8µs
Anzahl der Kanäle	1
Dunkelstrom max.	100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	25 °C
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	Durchsteckmontage
Gehäusetyp	Side-View
Abmessungen	4.44 x 2.54 x 5.08mm
Kollektorstrom	1.50mA
Wellenlänge max.	880nm
Empfindlichkeit im Spektralbereich	880 nm
Länge	4.44mm
Breite	2.54mm
Höhe über Panel	5.08mm