Vishay BPW77NA Durchsteckmontage ±10 ° Fototransistor Infrarot, Sichtbares Licht 6 μs / 15000 μA, 3-Pin TO-18
- RS Best.-Nr.:
- 815-1250
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW77NA
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkannte Spektren | Infrarot, Sichtbares Licht | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Fallzeit typ. | 5μs | |
| Regelanstiegszeit | 6μs | |
| Wellenlänge Spitze | 850nm | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Verpackungsart | Wolle | |
| Lichtstrom max. | 15000μA | |
| Dunkelstrom max. | 100nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±10 ° | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TO-18 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Durchmesser | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Höhe | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | BPW77NA | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 70V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkannte Spektren Infrarot, Sichtbares Licht | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Fallzeit typ. 5μs | ||
Regelanstiegszeit 6μs | ||
Wellenlänge Spitze 850nm | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Verpackungsart Wolle | ||
Lichtstrom max. 15000μA | ||
Dunkelstrom max. 100nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±10 ° | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TO-18 | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Durchmesser 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Höhe 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie BPW77NA | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 70V | ||
Fototransistoren Serie BPW77NA und BPW77NB
Die Serien BPW77NA und BPW77NB von Vishay Semiconductor sind eine Reihe von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie verfügen über gekapselte TO-18-Gehäuse mit einer Glaslinse. Die Fototransistoren BPW77NA und BPW77NB sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Sie sind ideal für den Einsatz als Detektoren von elektronischen Steuerungs- und Antriebskreisen.
Merkmale der Fototransistoren BPW77NA und BPW77NB:
TO-18-Gehäuse
4,7 mm Durchmesser
Durchgangsbohrungsmontage
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Betriebstemperatur: –40 bis +125 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
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