- RS Best.-Nr.:
- 876-8710P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 309 FA-4
- Marke:
- ams OSRAM
11600 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (in Beutel)
CHF.0.305
Stück | Pro Stück |
250 - 475 | CHF.0.305 |
500 - 975 | CHF.0.263 |
1000 - 1975 | CHF.0.20 |
2000 + | CHF.0.179 |
- RS Best.-Nr.:
- 876-8710P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 309 FA-4
- Marke:
- ams OSRAM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors
Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.
Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse
Durchgangsbohrung
Durchgangsbohrung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Fallzeit typ. | 7µs |
Regelanstiegszeit | 7µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Lichtstrom max. | 4500µA |
Dunkelstrom max. | 1 (≤ 50)nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±12 ° |
Polarität | NPN |
Anzahl der Pins | 2 |
Montage Typ | THT |
Gehäusetyp | 3 mm (T-1) |
Abmessungen | 3.1 (Dia.) x 5.2mm |
Kollektorstrom | 15mA |
Wellenlänge min. | 880nm |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 880 bis 1120 nm |
Wellenlänge max. | 1120nm |
Durchmesser | 3.1mm |
Sättigungsspannung | 200mV |
Höhe über Panel | 5.2mm |
Kollektor-Emitter-Spannung | 35 V |
- RS Best.-Nr.:
- 876-8710P
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 309 FA-4
- Marke:
- ams OSRAM