Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V / 1.5 A
- RS Best.-Nr.:
- 205-6917
- Herst. Teile-Nr.:
- AQY282EH
- Marke:
- Panasonic
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 100 Stück)*
CHF.147.50
Auf Lager
- 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF.1.475 | CHF.147.66 |
| 200 - 200 | CHF.1.434 | CHF.143.42 |
| 300 - 300 | CHF.1.394 | CHF.139.28 |
| 400 + | CHF.1.353 | CHF.135.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 205-6917
- Herst. Teile-Nr.:
- AQY282EH
- Marke:
- Panasonic
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Panasonic | |
| Produkt Typ | Halbleiterausgang | |
| Laststrom max | 1.5A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Lastspannung max | 60V | |
| Lastspannung min | 60V ac/dc | |
| Serie | PhotoMOS | |
| Kontakt Konfiguration | SPST | |
| Schaltfunktion | AC/DC schaltend | |
| Widerstand im eingeschalteten Zustand | 2.5Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 4.78mm | |
| Normen/Zulassungen | UL, BSI, C-UL | |
| Höhe | 3.2mm | |
| Länge | 6.4mm | |
| Ausgangstyp | MOSFET | |
| Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1μA | |
| Kapazität | 0.8pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Panasonic | ||
Produkt Typ Halbleiterausgang | ||
Laststrom max 1.5A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Lastspannung max 60V | ||
Lastspannung min 60V ac/dc | ||
Serie PhotoMOS | ||
Kontakt Konfiguration SPST | ||
Schaltfunktion AC/DC schaltend | ||
Widerstand im eingeschalteten Zustand 2.5Ω | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 4.78mm | ||
Normen/Zulassungen UL, BSI, C-UL | ||
Höhe 3.2mm | ||
Länge 6.4mm | ||
Ausgangstyp MOSFET | ||
Leckstrom im "Aus"-Zustand 1μA | ||
Kapazität 0.8pF | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Panasonic DIP4-polige Typ mit verstärkter Isolierung.
Verstärkte Isolierung von 5000 V
Steuert analoge Low-Level-Signale
Hohe Empfindlichkeit und niedriger Einschaltwiderstand
Niedriger Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von max 1 μA
Verwandte Links
- Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V / 1.5 A
- Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 30 V / 1.5 A
- Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 400 V / 1.5 A
- Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V / 1.2 A
- Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V / 1 A
- Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, 2SPNO 60 V / 1.5 A
- Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 400 V / 0.3 A
- Panasonic PhotoMOS Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 100 V / 0.3 A